【氮化铝陶瓷】现代半导体制造工艺中晶圆的加工过程有着多道工序如等离子体

    现代半导体制造工艺中晶圆的加工过程有着多道工序如等离子体

6月7日，日本特殊陶业宣布，公司决定在宫城县富宫市高屋敷西区建设新工厂以满足半导体市场需求，生产静电吸盘、结构陶瓷制品，预计将于2025年4月投产。

日本特殊陶业由ngk和ntk组成，ntk ceratec主要负责向传感器、电子元件、刀具、生物陶瓷、医疗应用、环境能源等广泛领域提供技术陶瓷产品。据公告，由于社会和经济数字化的快速发展，对半导体的需求正在增加，建设新工厂可以优化现有生产线，实现高效率、高品质制造。

现代半导体制造工艺中晶圆的加工过程有着多道工序，如等离子体浸没离子掺杂、离子注入、物理气相沉积、化学气相沉积等，每一道工序都需要保证晶圆的平稳固定。通过静电吸附作用来固定晶圆，其优点在于吸附作用均匀分布于晶圆表面，晶圆不会发生翘曲变形，吸附作用力持续稳定，可以保证晶圆的加工精度。静电吸盘对晶圆污染小，对晶圆无伤，可以应用于高真空环境中。静电吸盘通常采用氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷及蓝宝石，目前芯片大厂所用的半导体加工设备上的氮化铝静电吸盘，大部分来自于ntk ceratec。

文章来源：粉体圈

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